高速CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法

摘要

本发明公开了一种高速CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法，该像素单元包括单晶硅衬底、位于该单晶硅衬底内的浅槽隔离区、完全覆盖该浅槽隔离区下方的掺杂阱、位于该浅槽隔离区之间的转移晶体管和掩埋型感光二极管。利用本发明，提高了感光二极管光生电荷的转移速度；同时，通过优化防穿通区和转移晶体管漏极一侧掺杂阱的位置和工艺参数，在不影响转移晶体管栅极下方沟道电荷转移的情况下，达到防止FD漏电的目的。

主权项

一种高速CMOS图像传感器的像素单元，包括单晶硅衬底、位于该单晶硅衬底内的浅槽隔离区、完全覆盖该浅槽隔离区下方的掺杂阱、位于该浅槽隔离区之间的转移晶体管和掩埋型感光二极管，其特征在于：所述掩埋型感光二极管的埋层掺杂区采用两次位于不同区域的离子注入实现，包括第一次离子注入区和第二次离子注入区，所述第一次离子注入区的一部分与所述转移晶体管的栅极及其栅介质下方部分重叠，所述第一次离子注入区的另一部分与所述第二次离子注入区部分重叠，且所述第二次离子注入区完全覆盖所述掩埋型感光二极管区下方；所述转移晶体管包含阈值电压调节区和防穿通区，所述阈值电压调节区完全覆盖所述转移晶体管栅极下方，所述防穿通区的一部分与所述转移晶体管栅极下方部分重叠，所述防穿通区的另一部分与位于所述转移晶体管漏极一侧掺杂阱相连接。