发明名称 |
一种制备硫化镉纳米线的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种纳米材料的制备方法,具体是指一种硫化镉米线的制备方法。本发明是通过脉冲电子束沉积技术,先将硫化镉粉和硫粉混合均匀,然后压成靶材,再将硅(Si)衬底表面用磁控溅射法镀一层金(Au)薄膜。最后在脉冲电子束沉积过程中,先将腔体抽真空后,用脉冲电子束在一定频率、在一定电压情况下,在高温条件下进行沉积处理。最后得到Si衬底表面有一层黄色的沉积物为硫化镉纳米线。本发明的优点是:工艺可控性强,易操作,成本低,制得的产物纯度高。 |
申请公布号 |
CN102071397B |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN201110021911.9 |
申请日期 |
2011.01.18 |
申请人 |
浙江理工大学 |
发明人 |
李培刚;雷鸣;王顺利;崔灿;唐为华 |
分类号 |
C23C14/06(2006.01)I;C23C14/30(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/06(2006.01)I |
代理机构 |
浙江英普律师事务所 33238 |
代理人 |
陈小良 |
主权项 |
一种制备硫化镉纳米线的方法,其特征在于包括如下步骤:(1)先将硫化镉粉和硫粉用研磨混合均匀,其中硫化镉粉与硫粉的摩尔比为5‑12∶1;(2)然后用压片机将混合物压成靶材,其中压片机的压力为15兆帕以上;(3)在硅衬底表面用磁控溅射法镀一层厚度为8‑12纳米的金薄膜;(4)把靶材放置在脉冲电子束沉积系统的靶台位置,用导电银胶将镀金的硅衬底粘在不锈钢加热器上,其中加热器的温度为750‑900℃;(5)在脉冲电子束沉积过程中,先将腔体抽真空,通入氩气,使得腔体内的压力为10毫托;其中,靶材与硅衬底的距离设定为4‑8厘米,脉冲电子束的频率为3‑5赫兹,并将电子束的电压固定在10‑20千伏;沉积时间为20‑60分钟;(6)将脉冲电子束沉积系统冷却至室温后将硅衬底取出,硅衬底表面的沉积物为硫化镉纳米线。 |
地址 |
310018 浙江省杭州市江干区下沙高教园区 |