RFLDMOS器件中自对准低电阻栅极的制备方法

摘要

本发明公开了一种RFLDMOS器件中自对准低电阻栅极的制备方法，在衬底上形成的多晶硅栅极后，包括如下步骤：步骤一，在衬底上淀积介质层；步骤二，在介质层上淀积有机填充材料，有机填充材料为抗反射材料或光刻胶，覆盖多晶硅栅极的台阶；步骤三，刻蚀去除多晶硅栅极上面的介质层及有机填充材料，并在栅极两侧形成侧墙；步骤四，去除在源区和漏区上的有机填充材料、介质层以及栅氧，然后淀积与硅形成合金的金属；步骤五，经过退火处理在多晶硅栅极、源区和漏区上分别形成硅合金。本发明的制备方法，集成了低电阻栅和侧墙工艺，提高器件的高频特性，减少器件尺寸对工艺的依存性。

主权项

一种RFLDMOS器件中自对准低电阻栅极的制备方法，其特征在于，在衬底上形成的多晶硅栅极后，包括如下步骤：步骤一，在衬底上淀积介质层；步骤二，在所述介质层上淀积有机填充材料，所述有机填充材料为抗反射材料或光刻胶，覆盖所述多晶硅栅极的台阶；步骤三，刻蚀去除所述多晶硅栅极上面的介质层及有机填充材料，并在所述栅极两侧形成侧墙；步骤四，去除在源区和漏区上的有机填充材料、介质层和栅氧，然后淀积与所述硅形成合金的金属；步骤五，经过退火处理在所述多晶硅栅极、源区和漏区上形成硅合金。