| 发明名称 |
Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mit negativer Widerstandskennlinie und mit durch plastisches Verformen erzeugten Stoerstellen des Kristallgitters im Halbleiterkoerper |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE1163460(B) |
申请公布日期 |
1964.02.20 |
| 申请号 |
DE1959K038922 |
申请日期 |
1959.10.16 |
| 申请人 |
KOBE KOGYO KABUSHIKI KAISHA |
发明人 |
MAEKAWA SYUNICHI;RYUZAN OSAMU |
| 分类号 |
H01L21/24;H01L21/30;H01L21/322;H01L29/00 |
主分类号 |
H01L21/24 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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