非相邻垂直共振腔耦合结构

摘要

本发明公开了一种非相邻垂直共振腔耦合结构及其制造方法。该非相邻垂直共振腔耦合结构至少包括：第一与第二共振腔、介质材料层、至少一第一与第二高频传输线以及至少一连通柱。第一与第二共振腔分别具有彼此相对的第一与第二金属表面，其中第一与第二共振腔的各第二金属表面彼此相对配置。介质材料层位在第一与第二共振腔的各第二金属表面之间。第一高频传输线配置在对应该第一共振腔的第一表面的其中一侧边缘，并且第二高频传输线配置在对应第二共振腔的第一表面的其中一侧边缘，连通柱则垂直地连接该第一与该第二高频传输线。

主权项

一种非相邻垂直共振腔耦合结构，至少包括：第一与第二共振腔，分别具有彼此相对的第一与第二导体表面，其中该第一与该第二共振腔的各该第二导体表面彼此相对配置，并且该第一或该第二共振腔至少一侧边是作为该非相邻垂直共振腔耦合结构；介质材料层，位于该第一与该第二共振腔的各该第二导体表面之间；至少一第一与第二高频传输线，该第一高频传输线配置在对应该第一共振腔的该第一导体表面的其中一侧边缘，并且该第二高频传输线配置在对应该第二共振腔的该第一导体表面的其中一侧边缘；以及至少一连通柱，垂直地连接该第一与该第二高频传输线。