发明名称 |
氮化硼基复合陶瓷透波材料及其制备方法 |
摘要 |
氮化硼基复合陶瓷透波材料及其制备方法,它涉及一种复合陶瓷透波材料及其制备方法。本发明解决了现有陶瓷透波材料的耐热性、抗热冲击性和介电性能不足的问题。氮化硼基复合陶瓷透波材料按质量百分比由5%~15%非晶态SiO2粉末、0~10%AlN粉末和75%~95%六方氮化硼粉末制成。本发明的方法如下:一、用非晶态SiO2粉末、AlN粉末和六方氮化硼粉末制备浆料;二、烘干,研碎后过筛,得到混料;三、装入石墨模具中,预压;四、热压烧结,然后随炉冷却,获得氮化硼基复合陶瓷透波材料。本发明氮化硼基复合陶瓷透波材料的力学性能,热学性能及介电性能均达到天线罩材料的要求。本发明工艺简单,便于操作。 |
申请公布号 |
CN101648809B |
申请公布日期 |
2012.06.27 |
申请号 |
CN200910307688.7 |
申请日期 |
2009.09.25 |
申请人 |
哈尔滨工业大学 |
发明人 |
贾德昌;段小明;杨治华;张薇;周玉 |
分类号 |
C04B35/5833(2006.01)I;C04B35/645(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/5833(2006.01)I |
代理机构 |
哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 |
代理人 |
韩末洙 |
主权项 |
氮化硼基复合陶瓷透波材料,其特征在于氮化硼基复合陶瓷透波材料按质量百分比由5%~15%非晶态SiO2粉末、0~10%AlN粉末和75%~95%六方氮化硼粉末制成,所述氮化硼基复合陶瓷透波材料以六方相BN作为基体成分;SiO2存在于六方BN的晶粒之间,当AlN存在时AlN以颗粒形式弥散存在于BN颗粒之间,氮化硼基复合陶瓷透波材料的透波率达85%以上,耐温达1600℃以上。 |
地址 |
150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |