| 发明名称 | 一种柔性半透明IGZO薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本实用新型提出一种柔性半透明IGZO薄膜晶体管，包含缓冲保护层、删电极、栅绝缘层、源极以及漏极、塑料衬底、IGZO半导体层以及保护层，塑料衬底上覆盖缓冲保护层；其特征在于，栅电极位于缓冲保护层的中心顶部区域，并在缓冲保护层的两端的顶部区域形成对准标记层；栅电极的中心区域上部覆盖栅绝缘层；IGZO半导体层位于栅绝缘层的上部；源、漏两极分别位于半导体层的上部的两侧，仅在半导体层的顶部，源漏两极的中间形成通道，保护层覆盖整个通道；所述塑料衬底的厚度为25μm；其中栅电极采用梯形结构，对准标记层采用长方形结构。 | ||
| 申请公布号 | CN202285237U | 申请公布日期 | 2012.06.27 |
| 申请号 | CN201120338446.7 | 申请日期 | 2011.09.09 |
| 申请人 | 广东中显科技有限公司 | 发明人 | 王彬 |
| 分类号 | H01L29/43(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/43(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人 | 曹津燕 |
| 主权项 | 柔性半透明IGZO薄膜晶体管，包含缓冲保护层、删电极、栅绝缘层、源极以及漏极、塑料衬底、IGZO半导体层以及保护层，塑料衬底上覆盖缓冲保护层；其特征在于，栅电极位于缓冲保护层的中心顶部区域，并在缓冲保护层的两端的顶部区域形成对准标记层；栅电极的中心区域上部覆盖栅绝缘层；IGZO半导体层位于栅绝缘层的上部；源、漏两极分别位于半导体层的上部的两侧，仅在半导体层的顶部，源漏两极的中间形成通道，保护层覆盖整个通道；所述塑料衬底的厚度为25μm；其中栅电极采用梯形结构，对准标记层采用长方形结构。 | ||
| 地址 | 528225 广东省佛山市南海区狮山工业园北园中路11号 | ||