集成高压功率IGBT器件单片LED驱动芯片

摘要

集成高压功率IGBT器件单片LED驱动芯片，涉及集成电路技术。芯片内集成有regulator线性调整器、Toff关断时间定时器、DIM调光控制器、PWM信号发生器、DRV功率管驱动模块、低压功率器件、外部高压功率器件的栅极置位电路、保护电路和IGBT高压功率器件；regulator线性调整器与IGBT高压功率器件的输出端连接；Toff关断时间定时器、DIM调光控制器、保护电路与PWM信号发生器连接；PWM信号发生器通过DRV功率管驱动模块连接低压功率器件的栅极；IGBT高压功率器件的栅极与栅极置位电路连接，输出端与低压功率器件的输入端连接。本发明采用革新的架构，可实现在85VAC～265VAC通用交流输入范围可稳定可靠工作，保证系统的高效能。

主权项

集成高压功率IGBT器件单片LED驱动芯片，其特征在于，芯片内集成有下述部分：regulator线性调整器(1)、Toff关断时间定时器(2)、DIM调光控制器(3)、PWM信号发生器(4)、DRV功率管驱动模块(5)、低压功率器件(6)、外部高压功率器件的栅极置位电路(7)、保护电路(8)和IGBT高压功率器件(17)；regulator线性调整器(1)与IGBT高压功率器件(17)的输出端连接；Toff关断时间定时器(2)、DIM调光控制器(3)、保护电路(8)与PWM信号发生器(4)连接；PWM信号发生器(4)通过DRV功率管驱动模块(5)连接低压功率器件(6)的栅极；IGBT高压功率器件(17)的栅极与栅极置位电路(7)连接，输出端与低压功率器件(6)的输入端连接。