发明名称 |
一种高硅抛光片表面贵金属离子回收率测试方法 |
摘要 |
本发明涉及一种高硅抛光片表面贵金属离子回收率测试方法,通过采用新型萃取液对高硅抛光片表面贵金属离子萃取回收,提取贵金属,萃取液由低浓度的硝酸和盐酸配制而成,通过化学反应实现萃取液对贵金属元素的回收;采用新型萃取液,能够解决原有萃取液对于硅抛光片表面贵金属回收率低的问题,使铂Pt、银Ag、钯Pd和金Au的回收率达到了70%以上,提高硅抛光片表面贵金属测试的稳定性,从而满足对于硅抛光片表面贵金属离子的测试要求。 |
申请公布号 |
CN102520054A |
申请公布日期 |
2012.06.27 |
申请号 |
CN201110420556.2 |
申请日期 |
2011.12.15 |
申请人 |
天津中环领先材料技术有限公司 |
发明人 |
王国瑞;吕莹;吕宁;李翔 |
分类号 |
G01N27/62(2006.01)I |
主分类号 |
G01N27/62(2006.01)I |
代理机构 |
天津中环专利商标代理有限公司 12105 |
代理人 |
莫琪 |
主权项 |
一种高硅抛光片表面贵金属离子回收率测试方法,其特征在于,通过采用新型萃取液对高硅抛光片表面贵金属离子萃取回收,提取贵金属,使铂Pt、银Ag、钯Pd和金Au的回收率大于70%,所述萃取液由低浓度的硝酸和盐酸配制而成,通过化学反应实现萃取液对贵金属元素的回收;其化学反应式为:Au + HNO3 + 4HCl = H[AuCl4] + NO↑+ 2H2O 3Pt + 4HNO3 + 18HCl = 3H2[PtCl6] + 4NO↑+ 8H2O Ag+HNO3+HCl=AgCl+NO2+H2O 2HNO3+12HCl+3Pd==2NO+3H2PdCl4+4H2O所述高硅抛光片表面贵金属离子回收率测试方法包括如下步骤:选择高纯化学品:硝酸:HNO3 日本多摩化学 68% 10ppt; 盐酸:HCl 日本多摩化学 20% 10ppt; 选择超纯水制备设备:型号Milli‑Q A10 with Qpod Element 水质:电阻率>18.2MΩ.cm TOC<5ppb; 使用天平和取液枪配制最终浓度为硝酸1%和盐酸3%的萃取液,萃取液浓度偏差不应高于10%;使用全自动化学气相分解配合电感耦合等离子体质谱仪,设定化学气相分解时间为300s,扫描速度为10mm/s,扫描间距10mm,扫描区域边缘去除为0mm,萃取液体积为1000uL,进行测试及回收率分析; 根据上述方法测试5英寸、6英寸和8英寸硅抛光片表面贵金属的回收率可以达到:Au>78%,Pd>75%,Pt>85%,Ag>70%。 |
地址 |
300384 天津市西青区华苑技术产业园区(环外)海泰发展一路8号 |