| 发明名称 | 一种硅晶片抛光组合物及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了化学机械抛光(CMP)领域的一种硅晶片抛光组合物及其制备方法。抛光组合物含有磨料、碱性化合物、水溶性聚合物和去离子水，还包括聚合物桥联剂和摩擦系数调节剂。其中抛光组合物中水溶性聚合物含量为0.001～5wt％；聚合物桥联剂含量为0.001～1wt％；摩擦系数调节剂含量为0.001～0.5wt％；其pH值为8～12。本发明的抛光组合物特别适合于硅晶片抛光，其优势在于可提高聚合物在浆料中的稳定性，调节硅晶片表面与抛光垫之间的摩擦系数，有效的抑制颗粒和聚合物的沉积，减少硅晶片表面的划痕，提高抛光后硅晶片表面质量的均匀性且易于清洗。 | ||
| 申请公布号 | CN102516873A | 申请公布日期 | 2012.06.27 |
| 申请号 | CN201110325029.3 | 申请日期 | 2011.10.24 |
| 申请人 | 清华大学;深圳市力合材料有限公司;深圳清华大学研究院 | 发明人 | 潘国顺;顾忠华;龚桦;邹春莉 |
| 分类号 | C09G1/02(2006.01)I | 主分类号 | C09G1/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人 | 薄观玖 |
| 主权项 | 一种用于硅晶片精抛光的抛光组合物，其包括磨料、碱性化合物和水，其特征在于：还包括水溶性聚合物、聚合物桥联剂和摩擦系数调节剂，其中，水溶性聚合物的重量百分含量为0.001～5wt％，聚合物桥联剂的重量百分含量为0.001～1wt％，摩擦系数调节剂的重量百分含量为0.001～0.5wt％。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区北京市100084-82信箱 | ||