半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的半导体器件的制造方法含有下列步骤：于平面状半体层上形成柱状的第1导电型半导体层的步骤；于平面状半导体层形成第1个第2导电型半导体层的步骤；于第1导电型半导体层的周围形成栅极绝缘膜及由金属所构成的栅极电极的步骤；于栅极上部且第1导电型半导体层上部侧壁及栅极电极侧壁将绝缘膜形成为侧墙状的步骤；于第1导电型半导体层上部形成第2个第2导电型半导体层的步骤；于第1个及第2个第2导电型半导体层与栅极电极形成金属与半导体的化合物的步骤；及于第1个及第2个第2导电型半导体层上形成接触部的步骤。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，含有下列步骤：(a)于衬底上形成平面状半导体层，且于所述平面状半导体层上形成柱状第1导电型半导体层的步骤；(b)于所述柱状第1导电型半导体层下的所述平面状半导体层的一部分形成第2导电型半导体层的步骤；(c)于所述柱状第1导电型半导体层的周围形成栅极绝缘膜及由金属所构成的栅极电极的步骤；(d)于所述柱状第1导电型半导体层侧壁的上部区域形成侧墙状绝缘膜且接触所述栅极电极上方的步骤；(e)于所述栅极电极侧壁形成侧墙状绝缘膜的步骤；(f)于所述柱状第1导电型半导体层上部形成第2导电型半导体层的步骤；(g)于在所述柱状第1导电型半导体层下的所述平面状半导体层的所述一部分形成的所述第2导电型半导体层上形成金属与半导体的化合物的步骤；(h)于在所述柱状第1导电型半导体层上部形成的所述第2导电型半导体层上形成金属与半导体的化合物的步骤；(i)于在所述柱状第1导电型半导体层下的所述平面状半导体层的所述一部分形成的所述第2导电型半导体层上形成接触部的步骤；以及(j)于在所述柱状第1导电型半导体层上部形成的所述第2导电型半导体层上形成接触部的步骤。