发明名称 超亲水性Ti-O-C基纳米膜制备方法
摘要 本发明涉及超亲水性Ti-O-C基纳米膜,其具有改进的沉积厚度以及出色的沉积均匀性,其通过在均一比例下混合Ti前体和低沸点的高挥发性液体而制成。催化剂加速Ti前体的汽化并使所述Ti前体易于被注入到反应室中,因此改进了等离子体聚合效率。
申请公布号 CN1965103B 申请公布日期 2012.06.27
申请号 CN200480043241.9 申请日期 2004.12.30
申请人 LG电子株式会社 发明人 郑永万;田贤佑;郑昌日
分类号 C23C16/18(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I 主分类号 C23C16/18(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 刘慧;杨青
主权项 超亲水性Ti‑O‑C基纳米膜的制备方法,其包括:将表面待处理的金属基材放置在真空状态下的反应室中,在所述反应室中安装有至少一个电极;向所述反应室中引入Ti前体气体、选自空气或氧气的反应气体,以及作为Ti沉积促进剂的选自DMB(二甲基丁二烯)、THF(四氢呋喃)和己烷中的挥发性催化剂气体;向电极施加高电压并因此将引入的气体变为等离子体状态;和在所述基材的至少一个表面上形成Ti‑O‑C基纳米膜。
地址 韩国首尔