| 发明名称 | 一种具有高储能密度的锆酸铅基反铁电厚膜及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有高储能密度的锆酸铅基反铁电厚膜及制备方法，属于电子功能材料与器件领域。本发明包括以下化学组分：按质量比：(Pb1-aLa2a/3)(Zr1-x-ySnxTiy)O3∶玻璃粉∶有机粘结剂＝70～80∶1～5∶15～25，其中：0≤a≤0.06，0≤x≤0.45，0≤y≤0.10。本发明中的反铁电厚膜材料同时具有能量存储密度高、能量损耗低的特点，可以作为高功率大容量电容器开发和应用的关键材料。 | ||
| 申请公布号 | CN102515755A | 申请公布日期 | 2012.06.27 |
| 申请号 | CN201110429068.8 | 申请日期 | 2011.12.09 |
| 申请人 | 内蒙古科技大学 | 发明人 | 郝喜红;王鹏 |
| 分类号 | C04B35/49(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;H01G13/00(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/49(2006.01)I |
| 代理机构 | 包头市专利事务所 15101 | 代理人 | 庄英菊 |
| 主权项 | 一种具有高储能密度的锆酸铅基反铁电厚膜，其特征在于，包括以下化学组分：按质量比(Pb1‑aLa2a/3)(Zr1‑x‑ySnxTiy)O3∶玻璃粉∶有机粘结剂＝70～80∶1～5∶15～25，其中：0≤a≤0.06，0≤x≤0.45，0≤y≤0.10。 | ||
| 地址 | 014010 内蒙古自治区包头市昆区阿尔丁大街7号 | ||