| 发明名称 | 等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种等离子体处理装置，其在腔室(1)的内周侧的多处均等地形成的气体喷出口(15)，通过气体导入路(14)与在下部腔室(2)的上端和盖部(30)的上板(27)的下端的接触面部，由台阶部(18)和台阶部(19)形成的间隙的环状连通路(13)相连接。环状连通路(13)具有作为向各导入路(14)均等分配气体并供给气体的气体分配单元的功能，在下部腔室(2)的壁内的任意处通过沿垂直方向形成的气体通路(12)、气体导入口(72)与气体供给源(16)相连接。 | ||
| 申请公布号 | CN101322225B | 申请公布日期 | 2012.06.27 |
| 申请号 | CN200780000462.1 | 申请日期 | 2007.03.05 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 山下润 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H05H1/46(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：处理被处理体、能够真空排气的腔室；在所述腔室内，载置被处理体的载置台；配置在所述腔室的上部、用于开闭所述腔室的盖部；和从处理气体供给源向所述腔室内供给生成等离子体的处理气体的气体导入通路，所述气体导入通路具有：在所述腔室的壁内，由从所述腔室的下部向上方，在竖直方向上形成在相互对角的位置上的多个气体通路构成的第一气体通路；由连通所述第一气体通路，形成在所述盖部的横方向上的多个气体导入路构成的第二气体通路；形成在所述腔室和所述盖部之间，连通所述第一气体通路，向所述第二气体通路供给所述处理气体的环状连通路；连通所述气体导入路而形成的多个气体喷出口，和气体均匀供给机构，该气体均匀供给机构包括一端经配置在所述腔室的下方的多个气体导入口与所述第一气体通路连接，另一端与将从所述处理气体供给源延伸出的气体供给管分支的分支部连接的多条气体导入管，使得从所述处理气体供给源至各所述气体导入口的流路长度相等。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||