发明名称 |
内埋被动元件基板及其制造方法 |
摘要 |
一种内埋被动元件基板之制造方法,其包含:提供一高介电系数芯层,其二侧分别具有一第一金属层及一第二金属层;处理该第一金属层,以形成一第一芯层电路;将一临时性支撑层黏接在该第一芯层电路上;处理该第二金属层,以形成一第二芯层电路;在该第二芯层电路上黏接一压合层;去除该临时性支撑层,并在该第一芯层电路上黏接另一压合层;以及,加热该二压合层,以形成二增层绝缘层,并在其外侧分别形成一增层电路层。藉此,即可制备一内埋被动元件基板,并确保该高介电系数芯层不发生断裂。 |
申请公布号 |
TWI366901 |
申请公布日期 |
2012.06.21 |
申请号 |
TW097132286 |
申请日期 |
2008.08.22 |
申请人 |
日月光半导体制造股份有限公司 高雄市楠梓区楠梓加工出口区经三路26号 |
发明人 |
许芝菁;欧英德;府玠辰 |
分类号 |
H01L23/485;H01L23/538;H05K3/46 |
主分类号 |
H01L23/485 |
代理机构 |
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代理人 |
刘育志 台北市大安区敦化南路2段77号19楼 |
主权项 |
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地址 |
高雄市楠梓区楠梓加工出口区经三路26号 |