发明名称 内埋被动元件基板及其制造方法
摘要 一种内埋被动元件基板之制造方法,其包含:提供一高介电系数芯层,其二侧分别具有一第一金属层及一第二金属层;处理该第一金属层,以形成一第一芯层电路;将一临时性支撑层黏接在该第一芯层电路上;处理该第二金属层,以形成一第二芯层电路;在该第二芯层电路上黏接一压合层;去除该临时性支撑层,并在该第一芯层电路上黏接另一压合层;以及,加热该二压合层,以形成二增层绝缘层,并在其外侧分别形成一增层电路层。藉此,即可制备一内埋被动元件基板,并确保该高介电系数芯层不发生断裂。
申请公布号 TWI366901 申请公布日期 2012.06.21
申请号 TW097132286 申请日期 2008.08.22
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 高雄市楠梓区楠梓加工出口区经三路26号 发明人 许芝菁;欧英德;府玠辰
分类号 H01L23/485;H01L23/538;H05K3/46 主分类号 H01L23/485
代理机构 代理人 刘育志 台北市大安区敦化南路2段77号19楼
主权项
地址 高雄市楠梓区楠梓加工出口区经三路26号
您可能感兴趣的专利