| 摘要 |
本发明之目的在获得一种可藉由MOS工序制造，并可实现稳定动作之半导体记忆装置。储存电晶体(STr)系具备有：杂质扩散区域(22，24)、通道形成区域(23a)、电荷蓄积节点(23b)、闸极氧化膜(18)、闸极电极(19)。闸极电极(19)系连接于闸极线(GL)，而杂质扩散区域(24)系连接于源极线(SL)。储存电晶体(STr)系藉由形成电荷蓄积节点(23b)中蓄积有电洞之状态以及未蓄积电洞之状态，而分别储存资料”1”以及资料”0”。存取电晶体(ATr)系具有：杂质扩散区域(20，22)；通道形成区域(21)；闸极氧化膜(16)；以及闸极电极(17)。杂质扩散区域(20)系连接于位元线(BL)。 |
