发明名称 |
用于化学机械研磨之光谱基底监测的设备与方法 |
摘要 |
本发明系揭示用于化学机械研磨之光谱基底监测的设备与方法,包含光谱基底终点侦测、光谱基底研磨速率调整、冲洗光学头的上表面、或具有窗口的垫片。该光谱基底终点侦测依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用一参考光谱,因此当应用该特定光谱基底终点逻辑判定出终点时,即是达到目标厚度。该研磨终点可利用一差异图形或一系列指标值来判定。该冲洗系统在该光学头上表面产生层流。该真空喷孔和真空来源系经配置以使该气流为层流型态。该窗口包含一软质塑胶部分及一结晶或玻璃类部分。光谱基底研磨速率调整包含取得基材上不同区域的光谱。 |
申请公布号 |
TWI366872 |
申请公布日期 |
2012.06.21 |
申请号 |
TW099119185 |
申请日期 |
2006.08.22 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 美国 |
发明人 |
班维纽多明尼克J;大卫杰弗瑞杜鲁;史威克柏登;李哈利Q;卡卢匹亚雷克须玛南 |
分类号 |
H01L21/304;H01L21/66 |
主分类号 |
H01L21/304 |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
主权项 |
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地址 |
美国 |