Eingebettete sigma-förmige Halbleiterlegierung, die in Transistoren durch Anwenden einer gleichmäßigen Oxidschicht vor dem Ätzen der Aussparungen hergestellt ist

摘要

Bei der Herstellung komplexer Transistoren, die eine eingebettete Halbleiterlegierung erfordern, werden die Aussparungen mit erhöhter Gleichmäßigkeit auf der Grundlage beispielsweise kristallographisch anisotroper Ätzschritte hergestellt, indem eine gleichmäßige Oxidschicht geschaffen wird, um damit prozessabhängige Schwankungen oder Wartezeitschwankungen auszugleichen. Die gleichmäßige Oxidschicht kann auf der Grundlage eines APC-Steuerungsschemas hergestellt werden.