Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung

摘要

Gemäß einer Ausführungsform wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung bereitgestellt. Das Verfahren umfasst das Bereitstellen einer Maskenschicht, die als Implantationsmaske verwendet wird, wenn ein Dotierungsbereich ausgebildet wird, und die als Ätzmaske verwendet wird, wenn eine Öffnung und ein in der Öffnung ausgebildetes Kontaktelement ausgebildet werden. Das Kontaktelement steht mit dem Dotierungsbereich in Kontakt.