Herstellungsverfahren mit reduzierter STI-Topograpie für Halbleiterbauelemente mit einer Kanalhalbleiterlegierung

摘要

In komplexen Halbleiterbauelementen wird eine Halbleiterlegierung, etwa ein Schwellwert einstellendes Halbleitermaterial in Form von Silizium/Germanium in einer frühen Fertigungsphase selektiv in gewissen aktiven Gebieten bereitgestellt, wobei ein ausgeprägter Grad an Vertiefung und Materialverlust insbesondere in Isolationsgebieten vermieden wird, indem eine schützende Materialschicht selektiv über den Isolationsgebieten hergestellt wird. Beispielsweise wird in einigen anschaulichen Ausführungsformen ein Siliziummaterial selektiv auf den Isolationsgebieten abgeschieden.