| 发明名称 | 存储单元的操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种存储单元的操作方法。此存储单元具有多个起始电压，此操作方法包括编程存储单元，使存储单元由基准状态改变为编程状态。基准状态为擦除状态，擦除状态的起始电压介于最低起始电压与最高起始电压之间。 | ||
| 申请公布号 | CN101494087B | 申请公布日期 | 2012.06.20 |
| 申请号 | CN200810099523.0 | 申请日期 | 2008.05.13 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 郭明昌 |
| 分类号 | G11C16/14(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I;G11C16/30(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种存储单元的操作方法，其特征在于，该存储单元具有多个起始电压，该操作方法包括：编程该存储单元，使该存储单元由一基准状态改变为一编程状态，其中该基准状态为一擦除状态，该擦除状态的起始电压介于一最低编程起始电压与一最高编程起始电压之间，该编程状态的最低编程起始电压低于该基准状态的最低起始电压，该编程状态的最高编程起始电压高于该基准状态的最高起始电压。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||