| 发明名称 | 薄膜电容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种高容量且低泄漏电流的薄膜电容器的制造方法。在镍纯度大于等于99.99重量％的镍基板(10)上形成含有有机金属化合物的前驱电介质层(11D)后，进行退火，使前驱电介质层(11D)变为电介质层(11)。由此，将镍基板(10)中含有的一种或多种杂质(例如铁、钛、铜、铝、镁、锰、硅及铬中的至少之一)在退火中从镍基板(10)向前驱电介质层(11D)扩散的扩散量抑制在微量。 | ||
| 申请公布号 | CN101047067B | 申请公布日期 | 2012.06.20 |
| 申请号 | CN200710089801.X | 申请日期 | 2007.03.30 |
| 申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 齐田仁;佐屋裕子;内田清志;堀野贤治 |
| 分类号 | H01G4/33(2006.01)I;H01G4/08(2006.01)I;H05K1/16(2006.01)I;H05K3/00(2006.01)I | 主分类号 | H01G4/33(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 浦柏明;刘宗杰 |
| 主权项 | 一种薄膜电容器，包括：镍(Ni)纯度大于等于99.99重量％的镍基板；依次置于所述镍基板上的电介质层及电极层，其中所述镍基板包含9～65ppm的铁(Fe)杂质、6～25ppm的铜(Cu)杂质、2～10ppm的锰(Mn)杂质以及2～6ppm的硅(Si)杂质；并且所述镍基板包含选自包括下述杂质的组中的一种或多种杂质：小于等于65ppm的钛(Ti)杂质、小于等于65ppm的铝(Al)杂质以及小于等于65ppm的铬(Cr)杂质。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||