| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 在本发明的半导体装置(2)中，连接并固定导电线(14)的垫板(12)，沿着导电线(14)的长度方向，倾斜形成于位于垫板(12)周围的半导体装置(2)的表面。因此，能够使垫板(12)投影于半导体装置(2)的表面上的长度，小于沿着垫板(12)的表面方向的长度。由此，能够缩小垫板区(10)的面积，从而能够扩大可制造半导体结构的有效面积、即活性区(8)的面积。 | ||
| 申请公布号 | CN101868851B | 申请公布日期 | 2012.06.20 |
| 申请号 | CN200880116485.3 | 申请日期 | 2008.10.17 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社 | 发明人 | 妹尾贤 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人 | 黄威;张彬 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体基板；氧化膜，形成于所述半导体基板的表面；垫板，形成于所述氧化膜上；导电线，被连接并固定于所述垫板，所述氧化膜具有其厚度沿着所述导电线的长度方向逐渐变化的部分，所述垫板具有连接并固定有所述导电线的表面，所述垫板的表面具有形成于所述氧化膜的所述部分上，并沿着所述长度方向倾斜于位于所述垫板周围的所述半导体基板的表面的区域，所述氧化膜通过对所述半导体基板的第1表面区域以及所述半导体基板的第2表面区域进行氧化而形成，其中，所述半导体基板的第1表面区域与所述氧化膜的厚度较薄的部分相对应，且注入有加快氧化率的离子，所述半导体基板的第2表面区域与所述氧化膜的厚度较厚的部分相对应，且注入有以大于所述第1表面区域的幅度加快氧化率的离子。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||