反熔丝及其形成方法和具有该反熔丝的非易失性存储器件的单位单元

摘要

本发明是涉及一种反熔丝及其形成方法和具有该反熔丝的非易失性存储器件的单位单元，所述反熔丝包括：栅极介电层，其形成在衬底上；栅电极，其包括本体部分和从本体部分延伸的多个突出部分，其中本体部分和突出部分形成为在栅极介电层上与该层接触；和结区，其形成在通过所述突出部分的侧壁暴露的衬底的一部分中。

主权项

一种反熔丝，包括：形成在衬底上的栅极介电层；栅电极，所述栅电极包括本体部分和从所述本体部分延伸的至少一个突出部分，其中所述本体部分和所述突出部分形成为在所述栅极介电层上与该层接触；和结区，所述结区形成在由所述突出部分的侧壁暴露出的所述衬底的一部分中，其中所述突出部分在相同方向上从所述本体部分的一侧延伸，所述栅极介电层包括与所述本体部分相重迭的第一介电层和比所述第一介电层更薄的与所述突出部分相重迭的第二介电层。