| 发明名称 | 薄膜导体及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种具有改进粘附力和优良导电性的薄膜导体，一种制造薄膜导体的方法，一种包括薄膜导体的薄膜晶体管(TFT)面板，以及一种制造TFT面板的方法。该薄膜导体包括：粘附层，含有氧化反应金属或硅化反应金属和银；银导电层，形成于粘附层上，以及保护层，形成于所述银导电层上，并含有氧化反应金属和银。 | ||
| 申请公布号 | CN1913146B | 申请公布日期 | 2012.06.20 |
| 申请号 | CN200610112109.X | 申请日期 | 2006.08.11 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 赵范锡;李制勋;郑敞午;裵良浩 |
| 分类号 | H01L23/532(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/532(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 李伟;吴贵明 |
| 主权项 | 一种薄膜导体，包括：粘附层，用于将所述薄膜导体粘附到基板上，所述粘附层含有氧化反应金属和银或者含有硅化反应金属和银；银导电层，形成于所述粘附层上；以及保护层，形成于所述银导电层上，并含有氧化反应金属和银，其中，所述粘附层在其与所述基板的界面处含有氧化金属或硅化金属，所述氧化金属是通过所述粘附层中的氧化反应金属与所述基板中的氧之间的反应而形成的，并且所述硅化金属是通过所述粘附层中的硅化反应金属与所述基板所包含的硅之间的反应而形成的。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||