| 发明名称 | 一种薄膜晶体管及显示装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种薄膜晶体管及显示装置，所述薄膜晶体管，包括由源电极和漏电极构成的沟道，所述构成沟道的源电极和漏电极的沟道线条由偶数段弧线形成。本实用新型通过对构成沟道的源电极和漏电极的沟道线条进行改进，改进后的薄膜晶体管不仅保持了源电极和漏电极各自的相关面积不变，即未改变薄膜晶体管的电容，也未降低原来像素的开口率，却实现了沟道宽度的增加，提高了薄膜晶体管和显示装置等产品的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN202282354U | 申请公布日期 | 2012.06.20 |
| 申请号 | CN201120119999.3 | 申请日期 | 2011.04.21 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 | 发明人 | 杨海鹏 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人 | 张颖玲;王黎延 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括由源电极和漏电极构成的沟道，其特征在于，所述构成沟道的源电极和漏电极的沟道线条由偶数段弧线形成。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||