| 发明名称 |
柔性半导体器件的制造方法 |
| 摘要 |
本发明涉及一种柔性半导体器件的制造方法，其包括以下步骤：提供一硬基底，该硬基底具有一表面；提供一柔性基底，该柔性基底具有一第一表面及与该第一表面相对设置的一第二表面，将该柔性基底的第一表面固定于所述硬基底的表面；采用半导体加工工艺直接在所述柔性基底的第二表面形成半导体器件；以及去除所述硬基底，形成一柔性半导体器件。上述制造方法可以避免在所述柔性基底上直接进行半导体加工以形成柔性半导体器件时，所述柔性基底自身发生卷曲及表面起伏的现象，便于进行加工且可以提高该柔性半导体器件的精度。 |
| 申请公布号 |
CN101944477B |
申请公布日期 |
2012.06.20 |
| 申请号 |
CN200910108702.0 |
申请日期 |
2009.07.03 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
王雪深;李群庆 |
| 分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种柔性半导体器件的制造方法，其包括以下步骤：提供一硬基底，该硬基底具有一表面；提供一柔性基底，该柔性基底具有一第一表面及与该第一表面相对设置的一第二表面；在所述硬基底的表面形成一粘结层；当所述粘结层未固化或未凝固时，将所述柔性基底的第一表面的一侧边缘接触所述粘结层，并使该柔性基底的第一表面逐渐与所述粘结层接触；真空处理所述柔性基底与所述粘结层，去除该柔性基底与该粘结层的界面之间的气泡；固化所述粘结层，使得该柔性基底的第一表面固定于所述硬基底的表面；采用半导体加工工艺直接在所述柔性基底的第二表面形成半导体器件；以及去除所述硬基底，形成一柔性半导体器件。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
