发明名称 副安装座及其制造方法
摘要 本发明提供一种具有钎焊接合时的浸润性良好的电极层的副安装座和其制造方法。在搭载半导体装置的副安装座(1)中,在副安装座基板(2)的表面上形成基板保护层(3),在基板保护层(3)上形成电极层(4),在电极层(4)上形成钎焊层(5),使电极层(4)的表面的平均粗糙度为低于0.1μm。由于电极层(4)的表面平均粗糙度较小,所以钎焊层(5)的浸润性提高,能够无焊剂地将钎焊层(5)与半导体装置之间牢固地接合。能够得到在搭载了半导体装置时热阻较小的副安装座(1),半导体装置的温度上升变小,半导体装置的性能及寿命提高。
申请公布号 CN101916746B 申请公布日期 2012.06.20
申请号 CN200910168053.3 申请日期 2006.03.17
申请人 同和电子科技有限公司 发明人 大鹿嘉和;中野雅之
分类号 H01L23/13(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H05K1/11(2006.01)I 主分类号 H01L23/13(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 白丽;陈建全
主权项 一种搭载半导体装置的副安装座,其特征在于,包含:基板保护层,形成在副安装座基板的表面上;电极层,形成在所述基板保护层上;钎焊层,形成在所述电极层上;所述电极层表面的平均粗糙度低于0.1μm,没有配置所述电极层的副安装座基板表面及所述电极层表面的表面平均粗糙度的差分的绝对值是0.02μm以下。
地址 日本东京都