一种单晶硅表面氨基硅烷-硫化钐薄膜的制备方法

摘要

一种单晶硅表面氨基硅烷-硫化钐薄膜的制备方法，在二碘化钐的四氢呋喃溶液中加入EDTA得溶液B；向溶液B中加入硫脲得溶液C；用氨水调节溶液C的pH值至2.5～4.5得前驱液D；将前驱液D置于烧杯中，再将功能化后的硅基板置于前驱液D中，将烧杯放入真空干燥皿中，抽真空，然后将真空干燥皿置于干燥箱中沉积制备硫化钐薄膜，将制备好的薄膜置于真空干燥箱中干燥得硫化钐纳米薄膜。由于本发明采用液相自组装方法，制得的硫化钐纳米薄膜，均匀，致密，低缺陷，强度高，并且通过控制前驱液浓度、pH值以及沉积时间可以控制薄膜厚度和晶粒大小。这种方法制备的硫化钐纳米薄膜重复性高，易于大面积制膜。且操作方便，原料易得，制备成本较低。

主权项

一种单晶硅表面氨基硅烷‑硫化钐薄膜的制备方法，其特征在于：1)取0.1～10.0ml浓度为0.1mol/L的二碘化钐的四氢呋喃溶液置于烧杯中，再向烧杯中加入10‑80mL的四氢呋喃搅拌均匀得溶液A；2)向溶液A中加入0.1‑2.0g的EDTA(乙二胺四乙酸)，常温下磁力搅拌均匀得溶液B；3)向溶液B中加入0.01‑10.00g分析纯的硫脲(CH4N2S)搅拌均匀得溶液C；4)用氨水调节溶液C的pH值至2.5～4.5得前驱液D；5)将羟基化的硅基板置于体积浓度为0.5～1.5％的APTS(3‑氨丙基甲基三乙氧基硅烷)的无水甲醇溶液中在室温下浸泡10～360min，取出后分别用丙酮、四氯化碳冲洗，然后用氮气吹干，在氮气气氛保护下于210～230℃干燥10～30min；6)将干燥后硅基板放在紫外照射仪中，紫外光辐射波长184.9nm，在一个大气压下，保持照射距离为1～2cm，照射60～120min，使APTS头基的氨基在紫外光的照射下进行羟基化转变，得到APTS功能化的硅基板；7)将功能化后的硅基板置于前驱液D中，将烧杯放入真空干燥皿中，抽真空，然后将真空干燥皿置于干燥箱中，在30～60℃下沉积20～50h制备硫化钐薄膜，将制备好的薄膜置于真空干燥箱中50～90℃干燥15～30min得硫化钐纳米薄膜。