一种在锗衬底上制备金属-氧化物-半导体电容的方法

摘要

本发明公开了一种在锗衬底上采用铪硅氧氮介质制备MOS电容的方法，包括：清洗锗片；在清洗后的锗片上依次淀积氮化硅薄膜和氮化铪薄膜，重复多次淀积多层氮化硅和氮化铪叠层；然后在氮气的氛围中快速热退火；接着通过涂胶、曝光和显影形成光刻胶的图形；然后淀积金属电极材料；金属电极材料剥离后形成电极图形；在锗衬底的背面溅射一层金属铝；最后在氮气的氛围中在炉管中退火金属化。本发明在铪基高介电常数介质中掺入硅元素，避免了在栅介质淀积后的退火和金属电极形成后的退火过程中生成含有大量缺陷态的锗的氧化物的问题，降低了界面处的固定电荷和电荷俘获中心，获得电学性能优异的锗MOS电容。

主权项

一种在锗衬底上制备金属‑氧化物‑半导体电容的方法，其特征在于，该方法采用在铪基高介电常数介质中掺入硅元素，具体包括：步骤1：清洗锗片；步骤2：在清洗后的锗片上采用射频磁控反应溅射的方法在氩气和氮气的氛围中依次淀积氮化硅薄膜和氮化铪薄膜，并重复1至10次淀积多层氮化硅和氮化铪叠层；步骤3：在氮气的氛围中快速热退火形成铪硅氧氮介质；步骤4：在退火后的锗片上形成光刻胶的图形；步骤5：采用射频磁控反应溅射的方法淀积金属电极材料；步骤6：对金属电极材料进行剥离以形成电极图形；步骤7：在锗衬底的背面溅射一层金属铝以降低背面的接触电阻；步骤8：在氮气的氛围中在炉管中退火金属化。