| 发明名称 | 一种采用单次电子束曝光制备T型栅的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种采用单次电子束曝光制备T型栅的方法，包括：对衬底上的叠层胶进行电子束曝光，进行栅脚版图形的写入；对叠层胶进行显影，利用各层胶的特性不同形成叠层胶的栅脚和栅帽图形；以及对带有叠层胶栅脚和栅帽图形的衬底进行金属镀膜和剥离，形成T型栅。本发明采用具有良好稳定度的4层结构的叠层胶，只需一次电子束写入栅脚图形，配合多次分层显影的方法，可以获得T型栅所需的空间图形，以制备T型栅，该方法有效的减小了电子束写入面积，相应减小了机时占用。 | ||
| 申请公布号 | CN102509704A | 申请公布日期 | 2012.06.20 |
| 申请号 | CN201110441236.5 | 申请日期 | 2011.12.26 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王显泰;钟英辉;金智;汪宁 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种采用单次电子束曝光制备T型栅的方法，其特征在于，包括：对衬底上的叠层胶进行电子束曝光，进行栅脚版图形的写入；对叠层胶进行显影，利用各层胶的特性不同形成叠层胶的栅脚和栅帽图形；以及对带有叠层胶栅脚和栅帽图形的衬底进行金属镀膜和剥离，形成T型栅。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||