| 摘要 |
1. Многослойный полупроводник, содержащий: ! первый и второй слои, имеющие элементы, сконструированные в них; и ! первый проводящий тепло материал, расположенный между упомянутыми первым и вторым слоями, причем первый материал имеет более высокую тепловую проводимость по сравнению с тепловой проводимостью упомянутых первого и второго слоев. ! 2. Полупроводник по п.1, в котором упомянутая тепловая проводимость первого материала равна, по меньшей мере, 10 Вт/м/К. ! 3. Полупроводник по п.2, в котором первый проводящий тепло материал является электрически изолирующим. ! 4. Полупроводник по п.1, в котором упомянутый первый проводящий тепло материал является пленочной структурой. ! 5. Полупроводник по п.1, дополнительно содержащий: ! второй проводящий тепло материал, расположенный на конце, по меньшей мере, одного слоя, причем упомянутый второй проводящий тепло материал термически соединен с упомянутым первым проводящим тепло материалом, расположенным между упомянутыми слоями. !6. Полупроводник по п.1, в котором упомянутый проводящий тепло материал выбирается из списка, состоящего из алмазной матрицы и алмазной пленочной структуры. ! 7. Полупроводник по п.1, дополнительно содержащий, по меньшей мере, одно проводящее тепло сквозное соединение, проходящее через, по меньшей мере, часть поверхности одного слоя в местоположении, смещенном в сторону от проблемной тепловой области внутри упомянутого полупроводника. ! 8. Полупроводник по п.7, в котором сквозное соединение заполнено, по меньшей мере, частично углеродными нанотрубками. ! 9. Способ изготовления многослойного полупроводника, причем упомянутый способ содержит: ! выбор пе |
