| 发明名称 | 高强度碳化硅多孔陶瓷的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高强度碳化硅多孔陶瓷的制备方法，以重量百分含量为98％～99％的由α-碳化硅粉体和β-碳化硅粉体组成的混合物、0.1％～1.0％的二硼化铝以及0.5％～1％的聚碳硅烷组成原料，依次包括以下步骤：1)将上述原料加入到有机分散溶剂中，球磨混合、干燥；2)将所得的碳化硅复合粉体于45～55MPa下进行干压成型；3)将所得的碳化硅坯体放入真空无压烧结炉中，进行两步烧结，得到高强度碳化硅多孔陶瓷。该方法工艺简单，所制备的碳化硅多孔陶瓷具有机械强度高、孔隙率适中等特性。 | ||
| 申请公布号 | CN102503521A | 申请公布日期 | 2012.06.20 |
| 申请号 | CN201110375104.7 | 申请日期 | 2011.11.23 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 郭兴忠;杨辉;朱林;张玲洁;郑志荣;高黎华 |
| 分类号 | C04B38/00(2006.01)I | 主分类号 | C04B38/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人 | 金祺 |
| 主权项 | 高强度碳化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征是：以重量百分含量为98％～99％的由α‑碳化硅粉体和β‑碳化硅粉体组成的混合物、0.1％～1.0％的二硼化铝以及0.5％～1％的聚碳硅烷组成原料，依次包括以下步骤：1)、将上述原料加入到有机分散溶剂中，球磨混合后，在35～45℃进行干燥22～26小时，得到碳化硅复合粉体；2)、将上述碳化硅复合粉体于45～55MPa下进行干压成型，获得碳化硅坯体；3)、将上述碳化硅坯体放入真空无压烧结炉中，进行两步烧结，得到高强度碳化硅多孔陶瓷。 | ||
| 地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||