PROCÉDÉ POUR RÉALISER UN GUIDE OPTIQUE A FENTE SUR SILICIUM

摘要

L'invention concerne la fabrication de circuits de photonique sur silicium, et plus précisément la fabrication d'un guide optique à fente sur silicium. On dépose une fine couche de silicium monocristallin sur un substrat (10) recouvert d'une couche enterrée isolante (12) ; on effectue une oxydation thermique locale dans toute la profondeur de la fine couche de silicium monocristallin pour former une bande oxydée isolante s'étendant le long du trajet désiré pour le guide ; on dépose une couche isolante ou semi-isolante sur la couche de silicium ; on creuse, sur toute l'épaisseur de cette couche isolante ou semi-isolante, deux ouvertures à flancs verticaux séparées par un intervalle étroit constituant un mur vertical isolant ou semi-isolant qui sera le matériau de la fente (20) ; on fait croître du silicium monocristalllin (14) dans les ouvertures et jusqu'aux bords du mur isolant ou semi-isolant ; puis on grave la partie supérieure du silicium pour compléter la géométrie du guide.