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发明名称 SiC-Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren hierfür
摘要
申请公布号 DE102011082289(A8) 申请公布日期 2012.06.14
申请号 DE201110082289 申请日期 2011.09.07
申请人 DENSO CORPORATION;TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA 发明人 YAMAMOTO, TOSHIMASA;WATANABE, YUKIHIKO;ISHIKAWA, TSUYOSHI;SOEJIMA, NARUMASA;MORIMOTO, JUN;SUGIMOTO, MASAHIRO;TAKAYA, HIDEFUMI
分类号 H01L29/78;H01L21/336;H01L29/739 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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