| 发明名称 | 带有低电容和正向电压降以及耗尽的半导体控制整流器作为控向二极管的瞬态电压抑制器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种设置在第一导电类型的半导体衬底上的瞬态电压抑制器(TVS)。这种瞬态电压抑制器(TVS)包括一个设置并包围在第一导电类型的所述的外延层中的第二导电类型的掩埋掺杂区，其中掩埋掺杂区横向延伸，并具有一个延伸底部结区，与外延层下半部分互相连接，也就构成了所述的瞬态电压抑制器(TVS)的稳压二极管；这种瞬态电压抑制器(TVS)还包括一个在掩埋掺杂区上方的区域，此区域包括一个第二导电类型的顶部掺杂层，以及一个第二导电类型的顶部接触区，它们与外延层和掩埋掺杂区相结合，形成多个互相连接的PN结，构成了一个半导体可控整流器(SCR)，作为一个控向二极管，与稳压二极管一起作用，以便抑制瞬态电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101853853B | 申请公布日期 | 2012.06.13 |
| 申请号 | CN201010155590.7 | 申请日期 | 2010.03.30 |
| 申请人 | 万国半导体有限公司 | 发明人 | 马督儿·博德;管灵鹏;翁丽敏;安荷·叭剌 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 王敏杰 |
| 主权项 | 一种瞬态电压抑制器(TVS)包括：一个第一导电类型的半导体衬底；一个设置在所述的半导体衬底上方的第一导电类型的外延层以及一个设置在所述的外延层上方的第二导电类型的顶部掺杂层；一个设置并包围在外延层中的第二导电类型的掩埋掺杂区，其中所述的掩埋掺杂区与其下方的外延层部分界面相接，构成了所述的瞬态电压抑制器(TVS)的稳压二极管；以及一个设置在所述的掩埋掺杂区上方的所述的顶部掺杂层上面的第一导电类型的第一接触区，用于形成作为一第一控向二极管的半导体可控整流器(SCR)，其中所述的半导体可控整流器(SCR)在垂直方向上，由第一接触区、顶部掺杂层、外延层以及掩埋掺杂区组成。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州桑尼维尔墨丘利大道495号 | ||