| 发明名称 | 无电容器单晶体管浮体动态随机存取存储器单元及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明包括一种无电容器单晶体管DRAM单元，所述单元包括接纳于半导电材料(18)内的一对间隔开的源极/漏极区域(60、62)。电浮体区域(26)设置于所述半导电材料内的源极/漏极区域之间。间隔开的第一栅极(24)与所述源极/漏极区域之间的体区域分开且以电容方式耦合到所述体区域。一对相对的导电互连第二栅极(44、46)与所述第一栅极间隔开且横向接纳于所述第一栅极外部。所述第二栅极与横向位于所述第一栅极外部且在所述对源极/漏极区域之间的体区域间隔开且以电容方式耦合到所述体区域。本发明揭示形成无电容器单晶体管DRAM单元的线路的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101479852B | 申请公布日期 | 2012.06.13 |
| 申请号 | CN200780023929.4 | 申请日期 | 2007.06.25 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 费尔南多·冈萨雷斯 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;G11C11/401(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 王允方 |
| 主权项 | 一种无电容器单晶体管DRAM单元，其包含：一对间隔开的源极/漏极区域，其接纳于半导电材料内；电浮体区域，其设置于所述半导电材料内的所述源极/漏极区域之间；第一栅极，其与所述源极/漏极区域之间的所述体区域间隔开且以电容方式耦合到所述体区域；及一对相对的导电互连第二栅极，其与所述第一栅极电隔离地间隔开且横向接纳于所述第一栅极外部，所述第二栅极与横向位于所述第一栅极外部且在所述对源极/漏极区域之间的所述体区域间隔开且以电容方式耦合到所述体区域，所述第二栅极由导电材料导电互连，所述导电材料在所述第二栅极之间的所述第一栅极上方上升延伸，所述导电材料与所述第二栅极使用的材料相同。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||