| 发明名称 | 发光器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了发光器件及其制造方法。所述发光器件包括：第二电极层；在所述第二电极层上的包括第二导电型半导体层、有源层和第一导电型半导体层的发光半导体层；在所述第二电极层上的与所述发光半导体层间隔开的反射构件；和在所述第一导电型半导体层上的第一电极层。 | ||
| 申请公布号 | CN101861662B | 申请公布日期 | 2012.06.13 |
| 申请号 | CN200980100994.1 | 申请日期 | 2009.05.08 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 朴炯兆 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;王春伟 |
| 主权项 | 一种发光器件，包括：第二电极层；在所述第二电极层上的包括第二导电型半导体层、有源层和第一导电型半导体层的发光半导体层；在所述第二电极层上的与所述发光半导体层间隔开的反射构件；和在所述第一导电型半导体层上的第一电极层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||