发明名称 多层探针组及其制造方法
摘要 本发明公开了一种提供电性测试用的多层探针组及其制造方法,是运用光刻工艺于一基板上制出多个悬臂探针,该多层探针组包含有:一绝缘强化层是设置于该基板上,并形成有至少二连通电路的开口;至少二导电件,分别设置于该绝缘强化层的开口中,且被绝缘强化层包覆与支撑;至少二悬臂探针,该各悬臂探针分别具有一梁构件及一针尖构件;这些梁构件分别与该导电件连接,且至少一梁构件的局部表面贴接撑靠于该绝缘强化层上,这些针尖构件连接于该梁构件上;使贴接撑靠于该绝缘强化层上的悬臂探针结构稳定性较佳。
申请公布号 CN101865937B 申请公布日期 2012.06.13
申请号 CN200910134736.7 申请日期 2009.04.20
申请人 旺矽科技股份有限公司 发明人 陈志忠
分类号 G01R1/073(2006.01)I;G01R3/00(2006.01)I 主分类号 G01R1/073(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 周国城
主权项 一种多层探针组的制造方法,其特征在于,包含有以下步骤:(a)、制备一布设有电路的基板;(b)、于该基板的一表面上设置一第一绝缘强化层,且该第一绝缘强化层形成有至少二连通基板电路的第一绝缘强化层开口;(c)、于该第一绝缘强化层开口中分别设置一第一导电件及一第二导电件,使该第一及第二导电件与该基板电路连接;并于该基板未布设该第一绝缘强化层及非位于该第一绝缘强化层开口位置的该表面上,形成一第一牺牲层;(d)、于该第一绝缘强化层及该第一牺牲层的表面上设置一第二牺牲层,并将该第二牺牲层形成二分别连通该第一及第二导电件的第二牺牲层开口;(e)、于该第二牺牲层的开口中分别形成一具导电性的第三导电件及一第一梁构件,该第三导电件与该第二导电件连接,该第一梁构件与该第一导电件连接;(f)、去除该第二牺牲层;(g)、设置一第二绝缘强化层于该第一绝缘强化层上,并形成一位于该第一牺牲层上方的第二绝缘强化层开口;(h)、于该第二绝缘强化层开口内设置一第三牺牲层;(i)、再持续设置一具图形化的第三绝缘强化层及一具图形化的第四牺牲层,分别形成一第三绝缘强化层开口及一第四牺牲层开口,于该第三绝缘强化层开口内设置一具导电性的第四导电件,使该第四导电件与该第三导电件连接,于该第四牺牲层开口内设置一具导电性的导电材料,使该导电材料与该第一梁构件连接;(j)、持续设置一具图形化的第四绝缘强化层及一具图形化的第五牺牲层,分别形成一第四绝缘强化层开口及一第五牺牲层开口,于该第四绝缘强化层开口内设置一具导电性的第二梁构件,使该第二梁构件与该第四导电件连接,于该第五牺牲层开口内设置一具导电性的导电材料;(k)、连续地进行多层牺牲层的设置与图形化以形成开口,并于该各开口设置导电材料以形成分别连接该第一及第二梁构件的针尖构件;(l)、去除所有的牺牲层,即构成上述多层探针组。
地址 中国台湾新竹县