| 发明名称 | 使用非碳可流动CVD处理形成氧化硅 | ||
| 摘要 | 揭示了一种形成氧化硅层的方法。该方法可包含下列步骤：混合一种无碳的含硅与氮前驱物及自由基前驱物，并沉积一种含硅与氮层于基材上。接着将含硅与氮层转变为氧化硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN102498551A | 申请公布日期 | 2012.06.13 |
| 申请号 | CN201080040606.8 | 申请日期 | 2010.08.06 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | J·梁;N·K·英格尔;S·文卡特拉马 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆嘉 |
| 主权项 | 一种形成氧化硅层的方法，包含下列步骤：将无碳含硅与氮前驱物以及自由基前驱物混合；沉积含硅与氮层于基材上；以及将该含硅与氮层转变为该氧化硅层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||