发明名称 一种制备石墨烯薄膜的装置、方法及所得石墨烯薄膜
摘要 本发明涉及一种通过化学气相沉积法(CVD法)连续制备石墨烯薄膜的装置,其主要由进样室、炉管和出样室组成,生长室高温生长区将一直保持高温生长温度,不用等待升降温的过程,并解决了样品在高温区的传动问题,可以进行不间断的生长,从而大幅度提高用化学气相沉积(CVD)方法制备石墨烯薄膜的产量。
申请公布号 CN102492934A 申请公布日期 2012.06.13
申请号 CN201110442123.7 申请日期 2011.12.26
申请人 彭鹏 发明人 彭鹏;金虎
分类号 C23C16/26(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I 主分类号 C23C16/26(2006.01)I
代理机构 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 代理人 钟守期;王媛
主权项 一种连续制备石墨烯薄膜的装置,其包括一个两端开口的炉管(14),该两端开口分别与一个进样室(10)的一个开口端和一个出样室(11)的一个开口端连接,其中炉管与进样室的连接处设置有一个阀门(9)和一个进气接口部件(32),炉管与出样室的连接处设置有一个阀门(8)和一个出气接口部件(50),并且所述进样室(10)还装配有一个进/出气接口部件(12)和一个进样口(21),所述出样室还装配有一个进/出气接口部件(13)和一个出样口(41)。
地址 湖南省邵阳市宝庆中路437号16栋3单元201
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