| 发明名称 | 利用化学干法蚀刻设备进行微蚀刻的方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体制造技术领域，它提出一种利用化学干法蚀刻设备进行微蚀刻的方法，采用包括O2和N2的蚀刻气体，在温度小于100摄氏度、压力小于100帕斯卡的工艺条件下对晶圆表面进行微蚀刻。本发明能够降低去胶设备的负担，以提高其产能和效率；同时可提高化学干法蚀刻设备的利用率和用途。并且，采用上述工艺能够增加晶圆表面的亲水性能、节约蚀刻溶液中表面活性剂的使用量，并且提高了工艺的控制性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102496561A | 申请公布日期 | 2012.06.13 |
| 申请号 | CN201110388465.5 | 申请日期 | 2011.11.29 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 孔秋东;简中祥;齐龙茵 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种利用化学干法蚀刻设备进行微蚀刻的方法，其特征在于：采用包括O2和N2的蚀刻气体，在温度小于100摄氏度、压力小于100帕斯卡的工艺条件下对晶圆表面进行微蚀刻。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||