| 发明名称 | 一种半导体直流光电变压器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体直流光电变压器，包括：第一电极层；形成在所述第一电极层之上的电光转换层；形成在所述电光转换层之上的第二电极层；形成在所述第二电极层之上的第一隔离层；形成在所述第一隔离层之上的第三电极层；形成在所述第三电极层之上的光电转换层；以及形成在所述光电转换层之上的第四电极层，其中，所述第一隔离层、所述第二电极层和所述第三电极层对所述电光转换层发出的工作光线透明。根据本发明实施例的半导体直流光电变压器可直接实现直流电压的变压。同时具有耐高压，无电磁辐射，无线圈结构，不受太阳辐射及太阳风暴等的影响，安全可靠，体积小，寿命长，重量轻，安装维护方便等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN102496649A | 申请公布日期 | 2012.06.13 |
| 申请号 | CN201110356005.4 | 申请日期 | 2011.11.10 |
| 申请人 | 郭磊 | 发明人 | 郭磊 |
| 分类号 | H01L31/12(2006.01)I;H01L31/153(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 张大威 |
| 主权项 | 一种半导体直流光电变压器，其特征在于，包括：第一电极层；形成在所述第一电极层之上的电光转换层；形成在所述电光转换层之上的第二电极层；形成在所述第二电极层之上的第一隔离层；形成在所述第一隔离层之上的第三电极层；形成在所述第三电极层之上的光电转换层；以及形成在所述光电转换层之上的第四电极层，其中，所述第一隔离层、所述第二电极层和所述第三电极层对所述电光转换层发出的工作光线透明。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区清华大学电子系伟清楼807 | ||