发明名称 基于金纳米棒的近红外光吸收成像方法
摘要 本发明公开了一种基于金纳米棒的近红外光吸收成像方法。在合成过程中,改变反应条件可以调控金纳米棒的长径比,进而控制其吸收峰峰位。成像时,用金纳米棒标记被测物,调节光源发出近红外光透过被测物,金纳米棒标记的被测物各部分对近红外光的吸收不同而成像,用CCD摄像机采集被测物图像,即可得到被测物的近红外光吸收图像。本发明具有响应速度快、信噪比高、穿透性强、所需成像设备简单经济、可进行多组分同时无损检测等优点。
申请公布号 CN102488524A 申请公布日期 2012.06.13
申请号 CN201110385408.1 申请日期 2011.11.29
申请人 武汉大学 发明人 喻学锋;何定飞;王佳宏
分类号 A61B5/1455(2006.01)I;A61B5/00(2006.01)I;G06K7/10(2006.01)I 主分类号 A61B5/1455(2006.01)I
代理机构 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人 汪俊锋
主权项 一种基于金纳米棒的近红外光吸收成像方法,其特征在于包括如下步骤: 1)根据被测物对近红外光的吸收特性确定所用近红外光的波长,然后选择特定长径比的金纳米棒,使金纳米棒在该波长处的吸收峰接近峰位,并测出实际对应的吸收峰峰位;2)将未用金纳米棒溶液处理的被测物固定在近红外光吸收成像仪的载物台上,调节仪器近红外光光强,CCD摄像机的焦距和进光量,选择和所用近红外光的波长一致的滤波片,拍摄背景图像;3)配备金纳米棒溶液,用金纳米棒溶液标记被测物;4)保持近红外光吸收成像仪的各项设置不变,用对应于金纳米棒吸收峰峰位的近红外光照射用金纳米棒处理后的被测物,用CCD摄像机接收被测物的图像;5)对获得的图像进行处理,即得到被测物的近红外光吸收图像。
地址 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
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