晶圆级封装中形成金属线及球底金属之方法

摘要

本发明系揭露一制程以在晶圆级封装中形成金属线及球底金属，包含形成第一介电层于一晶粒之主动表面；进行溅镀制程在该第一介电层上形成一晶种金属层；进行第一电镀制程在该晶种金属层上形成一重布层；进行第二电镀制程在该重布层上形成一接触窗；在该第一介电层、该重布层、及该接触窗上形成第二介电层图案并露出该接触窗；以及在该接触窗上形成导电球。