发明名称 半导体装置
摘要 本发明系关于一种半导体装置。这种半导体装置系包含:主动区,此主动区系包含有:源极区、汲极区以及通道区;闸极,源极以及汲极,系形成于此主动区周围;复数个闸极触指,系由此汲极发出并延伸至通道区域中;复数个源极触指,系由源极发出并延伸至源极区中,这些源极触指系以预定方式插入于闸极触指之间,同时,这些源极触指系具有至少两条触指线,这些触指线系透过至少一条栅线相连;复数个汲极触指,系由汲极发出并延伸至汲极区中,这些汲极触指系位于未设置源极触指的闸极触指之间。
申请公布号 TWI366268 申请公布日期 2012.06.11
申请号 TW097130851 申请日期 2008.08.13
申请人 东部高科股份有限公司 南韩 发明人 安正豪
分类号 H01L29/78;H01L23/64 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人 许世正 台北市信义区忠孝东路5段410号4楼
主权项
地址 南韩