| 摘要 |
本发明揭露一种萧特基整流元件(Schottky rectifier device)及其制造方法。萧特基整流元件包含一区域氧化层(LOCOS)成长于沟槽底面上，其以沟槽侧壁上的氮化物间隙作为热氧化罩幕，接着一多晶矽层填满该沟槽。于区域氧化层下方选择性的形成一p掺杂区以使该元件承受逆向偏压时漏电流可降到最低，随后，一萧特基阻障矽化物层藉由溅镀法及高温退火制程形成于该磊晶层及多晶矽层的上表面，之后，一顶部金属层藉由沉积及微影制程形成于该萧特基阻障矽化物层上作为阳极，且延伸覆盖部分该终止沟槽场氧化层，最后，一阴极金属层再形成于该基板的背面。 |
