| 摘要 |
<p>본 발명은 후면전극 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 우선 실리콘 웨이퍼(100)에 홀(102)을 형성한다. 이때 홀(102)의 개수는 종래 EWT 태양전지를 구성하는 대략 '12.5㎝ × 12.5㎝' 크기의 실리콘 웨이퍼에 형성된 개수보다 상대적으로 적게 형성할 수 있다. 다음, 상기 실리콘 웨이퍼(100)의 전체 면적에 대해 불순물을 저농도로 도핑하여 에미터(104) 영역을 형성한다. 이후, 상기 홀(102)에 금속 또는 투명 전도막(TCO)을 형성하는 물질인 전도성 물질을 충진한다. 그러면 실리콘 웨이퍼(100)의 전면, 후면 및 홀(102)과 접해있는 부분에서 p-n 접합이 형성된다. 이때 상기 홀(102)에 형성된 전도성 물질은 태양전지의 에미터 전극(106)으로 사용된다. 상기 실리콘 웨이퍼(100)의 전면에 투명 전도막(TCO:Transparent Conducting Oxide)을 형성한다. 마지막으로 상기 실리콘 웨이퍼(100)의 후면에 베이스 전극(110)을 형성한다. 그와 같은 본 발명에 따르면, 실리콘 웨이퍼의 전하가 투명 전도막과 전도성 물질이 채워진 홀을 따라 이동하기 때문에, 종래 EWT 구조의 태양전지에 비해 홀 개수를 적게 형성하면서도 저항손실이 감소하고, 단파장에서의 응답 특성이 향상되는 이점이 있다.</p> |
