发明名称 检测通孔缺陷的方法
摘要 一种检测通孔缺陷的方法,包括:提供衬底,衬底上形成有导电层,导电层上形成有刻蚀停止层,刻蚀停止层上形成有介质层,介质层和刻蚀停止层中形成有通孔;刻蚀所述通孔,去除正常的通孔底部的部分导电层,加大正常的通孔和刻蚀不足的通孔之间的高度差;利用电子束轰击衬底,模拟出衬底在电子束轰击下产生的二次电子的灰阶图像,并模拟出灰阶图像的灰阶曲线,根据通孔底部的灰阶值判定正常的通孔、刻蚀不足的通孔,其中正常的通孔底部的灰阶值小于刻蚀不足的通孔底部的灰阶值。本发明可以容易的区分出哪个正常通孔,哪个是刻蚀不足的通孔。而且,本发明的技术方案,工艺简单,容易实现。
申请公布号 CN102487026A 申请公布日期 2012.06.06
申请号 CN201010571132.1 申请日期 2010.12.02
申请人 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 发明人 李凡;洪中山
分类号 H01L21/66(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种检测通孔缺陷的方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底上形成有导电层,所述导电层上形成有刻蚀停止层,所述刻蚀停止层上形成有介质层,所述介质层和所述刻蚀停止层中形成有通孔;刻蚀通孔,去除正常的通孔底部的部分导电层,加大正常的通孔和刻蚀不足的通孔之间的高度差;利用电子束轰击所述衬底,模拟出所述衬底在所述电子束轰击下产生的二次电子的灰阶图像,并模拟出所述灰阶图像的灰阶曲线,根据通孔底部的灰阶值判定正常的通孔、刻蚀不足的通孔,其中正常的通孔底部的灰阶值小于刻蚀不足的通孔底部的灰阶值。
地址 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号
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