发明名称 |
检测通孔缺陷的方法 |
摘要 |
一种检测通孔缺陷的方法,包括:提供衬底,衬底上形成有导电层,导电层上形成有刻蚀停止层,刻蚀停止层上形成有介质层,介质层和刻蚀停止层中形成有通孔;刻蚀所述通孔,去除正常的通孔底部的部分导电层,加大正常的通孔和刻蚀不足的通孔之间的高度差;利用电子束轰击衬底,模拟出衬底在电子束轰击下产生的二次电子的灰阶图像,并模拟出灰阶图像的灰阶曲线,根据通孔底部的灰阶值判定正常的通孔、刻蚀不足的通孔,其中正常的通孔底部的灰阶值小于刻蚀不足的通孔底部的灰阶值。本发明可以容易的区分出哪个正常通孔,哪个是刻蚀不足的通孔。而且,本发明的技术方案,工艺简单,容易实现。 |
申请公布号 |
CN102487026A |
申请公布日期 |
2012.06.06 |
申请号 |
CN201010571132.1 |
申请日期 |
2010.12.02 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
李凡;洪中山 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种检测通孔缺陷的方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底上形成有导电层,所述导电层上形成有刻蚀停止层,所述刻蚀停止层上形成有介质层,所述介质层和所述刻蚀停止层中形成有通孔;刻蚀通孔,去除正常的通孔底部的部分导电层,加大正常的通孔和刻蚀不足的通孔之间的高度差;利用电子束轰击所述衬底,模拟出所述衬底在所述电子束轰击下产生的二次电子的灰阶图像,并模拟出所述灰阶图像的灰阶曲线,根据通孔底部的灰阶值判定正常的通孔、刻蚀不足的通孔,其中正常的通孔底部的灰阶值小于刻蚀不足的通孔底部的灰阶值。 |
地址 |
100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 |