用于将其上具有低K介电材料的半导体晶片再循环的组合物和方法

摘要

本发明公开了用于从废弃的微电子器件上除去低k介电材料、浸蚀终止材料和/或金属堆叠材料的去除组合物和方法。所述去除组合物包括氢氟酸。所述组合物实现从其上具有材料的微电子器件结构的表面上至少部分地除去所述材料，以再循环和/或重复使用所述结构，而不会损坏半导体结构中所用的底层多晶硅或裸硅层。

主权项

一种去除组合物，包括氢氟酸、至少一种有机溶剂、水和至少一种额外物质，所述额外物质选自：至少一种氧化剂、至少一种螯合剂及其组合，其中基于所述组合物的总重量，所述组合物包含小于1wt％的胺类物质，并且其中所述去除组合物适合从其上具有材料的微电子器件上除去所述材料，所述材料选自低k介电材料、浸蚀终止材料、金属堆叠材料及其组合。